石墨烯基膜電容去離子技術（MCDI）
產品參數：
*上表為單個模塊參數(shu)，可(ke)根據不(bu)同處理量進行(xing)拼裝組合
產品性(xing)能：
CDI 技(ji)術(shu)(shu)（Capacitive Deionization 電(dian)(dian)容(rong)去(qu)(qu)離(li)子）是 20 世紀(ji) 90年代末開始興起的(de)(de)一項新(xin)型(xing)水處理技(ji)術(shu)(shu)。利用表面雙電(dian)(dian)層進行電(dian)(dian)容(rong)吸附去(qu)(qu)除(chu)水中電(dian)(dian)性物質(zhi)(zhi)，外(wai)加直流電(dian)(dian)壓(ya)，通過靜(jing)電(dian)(dian)力(li)把(ba)液(ye)體(ti)中的(de)(de)電(dian)(dian)性物質(zhi)(zhi)吸附在正負電(dian)(dian)極(ji)上。吸附達到(dao)飽和(he)時，讓電(dian)(dian)極(ji)短路或(huo)者加反向電(dian)(dian)壓(ya)（即(ji)放(fang)電(dian)(dian)），吸附的(de)(de)電(dian)(dian)性物質(zhi)(zhi)成(cheng)(cheng)分便發生脫附，電(dian)(dian)極(ji)得到(dao)再生。美(mei)淼創新(xin)性地將離(li)子交換膜(mo)和(he)石(shi)墨(mo)烯新(xin)材料引入到(dao)CDI技(ji)術(shu)(shu)中，形成(cheng)(cheng)了新(xin)型(xing)石(shi)墨(mo)烯基膜(mo)電(dian)(dian)容(rong)去(qu)(qu)離(li)子技(ji)術(shu)(shu)（M-CDI）；M-CDI使鹽離(li)子定(ding)(ding)向移動更加規律，電(dian)(dian)極(ji)表面形成(cheng)(cheng)的(de)(de)雙電(dian)(dian)層面積更多更穩定(ding)(ding)，解決了CDI技(ji)術(shu)(shu)極(ji)板濃差極(ji)化、容(rong)易結(jie)垢、離(li)子去(qu)(qu)除(chu)率低的(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)難(nan)題。
技(ji)術優(you)勢：
1.去(qu)離(li)子效果顯著
對氟、硼(peng)、氯、硫(liu)酸根、硅(gui)酸根、硝(xiao)酸根、硬度的去除效果顯著，且除鹽(yan)率連(lian)續(xu)可調，解決了(le)反滲(shen)透技術(shu)對氟化物、硼(peng)、硅(gui)元(yuan)素去除率低(di)的技術(shu)難(nan)題，整體脫鹽(yan)率高(gao)于85%，產水率高(gao)于75%。
2.抗污染能力(li)強
可耐受COD、硬度和堿度大(da)的(de)原水(shui)水(shui)質(zhi)，對前處(chu)理要求較(jiao)低，獨(du)特的(de)通道(dao)(dao)式結(jie)構(gou)設(she)計、毫米級的(de)通道(dao)(dao)寬度，相比反滲透技術納(na)米級通道(dao)(dao)不(bu)易堵塞、抗污染能力強。
3.操作(zuo)維護便捷
電(dian)吸(xi)附材料抗(kang)老化(hua)能力強、溫度(du)適用性(xing)高(gao)、使用壽命大于5年，整個設備可(ke)做到(dao)隨停隨用，自動化(hua)運行、實現一鍵(jian)式(shi)操(cao)作、一鍵(jian)式(shi)維(wei)護(hu)，提高(gao)維(wei)護(hu)人員便利性(xing)。
4.環境友好(hao)、無二次污染。
5.不添加任(ren)何藥(yao)劑，排(pai)放尾水(shui)所含(han)成份(fen)均(jun)系來自于原(yuan)水(shui)，系統(tong)本身不產生新的排(pai)放物。
應用領域：
飲用水凈(jing)化(hua) 苦咸水、高氟水、尤其 ; 反滲透濃水處理(li) ; 海水淡化領域
是礦坑水等淡化
