石墨烯基膜電容去離子技術（MCDI）
產品參數：
*上表為單個模塊參數，可根據不同處(chu)理量進(jin)行拼裝組合
產品性(xing)能(neng)：
CDI 技(ji)術（Capacitive Deionization 電(dian)(dian)(dian)容去(qu)離(li)子(zi)(zi)）是(shi) 20 世紀 90年代末開始(shi)興起的(de)(de)一(yi)項新(xin)型水處(chu)理技(ji)術。利(li)用表(biao)面(mian)雙電(dian)(dian)(dian)層進行(xing)電(dian)(dian)(dian)容吸附(fu)去(qu)除(chu)水中(zhong)(zhong)電(dian)(dian)(dian)性(xing)物質(zhi)，外加直流(liu)電(dian)(dian)(dian)壓，通過靜(jing)電(dian)(dian)(dian)力把液體(ti)中(zhong)(zhong)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)性(xing)物質(zhi)吸附(fu)在正負電(dian)(dian)(dian)極(ji)上。吸附(fu)達到飽和時，讓電(dian)(dian)(dian)極(ji)短路或者加反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓（即放電(dian)(dian)(dian)），吸附(fu)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)性(xing)物質(zhi)成分便發生脫附(fu)，電(dian)(dian)(dian)極(ji)得到再生。美淼創新(xin)性(xing)地將(jiang)離(li)子(zi)(zi)交換膜和石墨烯(xi)新(xin)材料引入到CDI技(ji)術中(zhong)(zhong)，形成了(le)新(xin)型石墨烯(xi)基膜電(dian)(dian)(dian)容去(qu)離(li)子(zi)(zi)技(ji)術（M-CDI）；M-CDI使鹽(yan)離(li)子(zi)(zi)定(ding)向(xiang)(xiang)移動更加規律，電(dian)(dian)(dian)極(ji)表(biao)面(mian)形成的(de)(de)雙電(dian)(dian)(dian)層面(mian)積更多更穩定(ding)，解決了(le)CDI技(ji)術極(ji)板濃(nong)差(cha)極(ji)化、容易結垢(gou)、離(li)子(zi)(zi)去(qu)除(chu)率低的(de)(de)技(ji)術難題。
技(ji)術優勢：
1.去(qu)離子效果顯著
對(dui)(dui)氟、硼、氯、硫酸根(gen)、硅(gui)酸根(gen)、硝(xiao)酸根(gen)、硬(ying)度的(de)去(qu)除效(xiao)果顯著，且除鹽率連續可調(diao)，解決(jue)了反滲(shen)透(tou)技術對(dui)(dui)氟化(hua)物、硼、硅(gui)元素去(qu)除率低的(de)技術難(nan)題，整(zheng)體(ti)脫(tuo)鹽率高于(yu)85%，產水率高于(yu)75%。
2.抗(kang)污染能力(li)強(qiang)
可(ke)耐受(shou)COD、硬度(du)(du)和堿度(du)(du)大的原水水質，對前(qian)處(chu)理要(yao)求較低，獨特的通道式結構設(she)計、毫米(mi)(mi)級(ji)的通道寬度(du)(du)，相比反(fan)滲(shen)透技術(shu)納(na)米(mi)(mi)級(ji)通道不易堵塞、抗污(wu)染能力(li)強(qiang)。
3.操作維護便捷
電(dian)吸附材料抗老化能力強、溫度適(shi)用性(xing)高(gao)、使用壽命大(da)于5年，整(zheng)個設備可做到隨停(ting)隨用，自(zi)動化運(yun)行、實現一(yi)鍵式(shi)操(cao)作、一(yi)鍵式(shi)維護(hu)，提高(gao)維護(hu)人員便利性(xing)。
4.環境友好、無二次(ci)污染。
5.不添加任(ren)何藥劑，排(pai)放(fang)尾水(shui)所含(han)成(cheng)份均系來自于原水(shui)，系統(tong)本身不產生新的排(pai)放(fang)物。
應(ying)用領域：
飲(yin)用水凈(jing)化 苦咸水(shui)、高氟(fu)水(shui)、尤其 反滲(shen)透濃(nong)水(shui)處理 海水(shui)淡化(hua)領域(yu)
是礦坑水等(deng)淡化
